聯(lián)系金蒙新材料
- SiC相對于Si器件的優(yōu)勢[ 04-17 15:34 ]
- SiC相對于Si器件的優(yōu)勢： •SiC的寬帶隙允許更薄的外延層來阻擋給定的電壓 •較薄的漂移層降低了整體器件電阻 •更高的電子飽和速度允許更高頻率的運(yùn)行 •SiC的高導(dǎo)熱性允許器件在>200C的高溫下運(yùn)行
- SiC的不同晶體結(jié)構(gòu)[ 04-16 13:30 ]
- 由于Si與C雙原子層堆積序列的差異會導(dǎo)致不同的晶體結(jié)構(gòu)，SiC有著超過200種（目前已知）同質(zhì)多型族。 其中最被人熟知的便是立方密排的3C-SiC和六方密排的2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC（碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能）。 最常用的多型是： 4H-SiC——功率集成電路應(yīng)用 6H-SiC——射頻應(yīng)用 在不同的晶面上生長不同的晶錠多型體： 4H-SiC——在碳(C)面晶種上生長 6H-SiC&
- 士蘭微：6寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線預(yù)計今年Q3通線[ 04-15 17:26 ]
- 近日，士蘭微在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時表示，SiC生產(chǎn)線目前還是中試線。公司已著手在廈門士蘭明鎵公司建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，預(yù)計在2022年三季度實(shí)現(xiàn)通線。 據(jù)了解，士蘭微2022年?duì)I收主要增長點(diǎn)主要是IPM模塊、PIM模塊、MEMS傳感器、AC-DC電路、DC-DC電路、手機(jī)快充芯片、PoE電路、IGBT、MOSFET、FRD等產(chǎn)品。士蘭微表示，未來公司對集成電路板塊的規(guī)劃和戰(zhàn)略的重點(diǎn)會放在車規(guī)和工業(yè)級電源管理產(chǎn)品、功率IC、信號鏈和混合信號處理電路、MEMS傳感器等。
- 碳化硅半導(dǎo)體市場大爆發(fā)[ 04-14 16:21 ]
- 據(jù)yole介紹，受汽車應(yīng)用的強(qiáng)勁推動，尤其是在EV主逆變器方面的需求，sic市場高速增長。 據(jù)報告，繼特斯拉采用SiC后，2020年和2021年又有多款新發(fā)布的EV和公告。此外，特斯拉創(chuàng)紀(jì)錄的出貨量幫助SiC器件在2021年達(dá)到10億美元的規(guī)模。他們指出，為了滿足長續(xù)航的需求，800VEV是實(shí)現(xiàn)快速直流充電的解決方案。這就是1200VSiC器件發(fā)揮重要作用的地方。 根據(jù)報告，截至2022年，比亞迪的Han-EV和現(xiàn)代的Ioniq-5通過提供快速充電功能獲得了不錯的銷量。Nio、Xpeng等更多OEM計劃
- 國產(chǎn)高端8/12英寸晶圓減薄機(jī)加速實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化[ 04-13 13:16 ]
- 北京中電科電子裝備有限公司（以下簡稱“北京中電科”）在國家科技部和電科裝備的大力支持下，依托已有晶圓減薄機(jī)技術(shù)的優(yōu)勢，突破了高速大扭矩減薄氣浮主軸、高精度晶片減薄厚度精密控制等核心技術(shù)，成功推出了自主研發(fā)的8/12英寸全自動晶圓減薄機(jī)的產(chǎn)業(yè)化機(jī)型，目前已有20多臺不同型號設(shè)備被用于集成電路材料加工、芯片制造、先進(jìn)封裝等工藝段的產(chǎn)品量產(chǎn)，獲得行業(yè)客戶的高度認(rèn)可。隨著8英寸全自動減薄機(jī)在西安封測龍頭企業(yè)實(shí)現(xiàn)流片，12英寸全自動減薄機(jī)在國內(nèi)多家大型硅片制造企業(yè)實(shí)現(xiàn)Inline生產(chǎn)，設(shè)備各項(xiàng)工藝指標(biāo)
