推薦產(chǎn)品
聯(lián)系金蒙新材料
- 碳化硅聚焦環(huán)陶瓷材料[ 03-09 17:16 ]
- 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，等離子體刻蝕逐漸成為半導(dǎo)體制造工藝廣泛應(yīng)用的技術(shù)。等離子體刻蝕產(chǎn)生的等離子體具有很強(qiáng)的腐蝕性，在刻蝕晶圓的過程中也會(huì)對工藝腔腔體和腔體內(nèi)部件造成嚴(yán)重腐蝕，所以半導(dǎo)體加工設(shè)備中與等離子體接觸的部件需要有較好的耐等離子體刻蝕性能。 相對于有機(jī)和金屬材料，陶瓷材料一般都具有較好的耐物理和化學(xué)腐蝕性能以及很高的工作溫度，因而在半導(dǎo)體工業(yè)中，多種陶瓷材料已成為半導(dǎo)體單晶硅片制造工序和前道加工工序的設(shè)備核心部件制造材料，如SiC，AlN，Al2O3和Y2O3等。在等離子環(huán)境中陶瓷材料的選擇取決于核心
- 山東金蒙新材料董事長胡尊奎 再次榮獲“臨沭縣優(yōu)秀企業(yè)家”榮譽(yù)稱號[ 03-06 17:26 ]
- 3月5日，在臨沭縣工業(yè)振興暨優(yōu)化發(fā)展環(huán)境大會(huì)上，山東金蒙新材料股份有限公司董事長胡尊奎再次榮獲“臨沭縣優(yōu)秀企業(yè)家”榮譽(yù)稱號，再塑榜樣力量。 山東金蒙新材料股份有限公司作為根植紅色沂蒙大地，生長在共和國旗幟下的國家高新技術(shù)企業(yè)，始終堅(jiān)持創(chuàng)新精神為企業(yè)內(nèi)核，把創(chuàng)新基因融入發(fā)展血脈，在董事長胡尊奎的帶領(lǐng)下，凝心聚力，昂揚(yáng)奮進(jìn)，以可持續(xù)發(fā)展為導(dǎo)向，高效率把科研成果轉(zhuǎn)化為市場“緊俏”產(chǎn)品，為企業(yè)發(fā)展賦能，為全縣創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展做出示范，當(dāng)好
- 山西爍科晶體成功實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅晶體小批量量產(chǎn)[ 03-05 13:34 ]
- 近日，電科材料下屬山西爍科晶體有限公司（以下簡稱爍科公司）成功研制出8英寸碳化硅晶體，實(shí)現(xiàn)了8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)。 由于碳化硅對溫度及壓力控制有著極其苛刻的要求，而且其本身具有的高硬度、高脆性、低斷裂韌性等特點(diǎn)，都使得大尺寸碳化硅單晶的制備及切割成為非常棘手的問題。 爍科公司專業(yè)深耕碳化硅材料領(lǐng)域，經(jīng)過刻苦攻關(guān)，于去年8月研制出8英寸碳化硅晶體，成功解決大尺寸單晶制備的重要難題。近日又再次取得重大突破，實(shí)現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)，向8英寸國產(chǎn)N型碳化硅拋光片的批量化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一
- 晶盛機(jī)電年產(chǎn)40萬片碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項(xiàng)目3月開工[ 03-04 09:30 ]
- 近日，由浙江晶盛機(jī)電股份有限公司總投資50億元建設(shè)的“碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項(xiàng)目”落戶寧夏銀川。其中，一期預(yù)計(jì)3月開工建設(shè)，投資總額33.6億元，一期建成達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)年產(chǎn)6英寸碳化硅晶片40萬片。 晶盛機(jī)電主要圍繞硅、碳化硅、藍(lán)寶石三大主要半導(dǎo)體材料開展業(yè)務(wù)，具備全球最大的700Kg藍(lán)寶石生長能力。據(jù)2月7日募資投建碳化硅襯底晶片生產(chǎn)基地項(xiàng)目和年產(chǎn)80臺套半導(dǎo)體材料拋光及減薄設(shè)備生產(chǎn)制造項(xiàng)目的公告披露，晶盛機(jī)電已組建一條從原料合成-晶體生長-切磨拋加工的中試產(chǎn)線，6英寸碳化硅晶片已獲得客戶驗(yàn)
- 中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所（電科二所）成功研制出首片碳化硅芯片[ 03-03 08:23 ]
- 近日，據(jù)中國日報(bào)報(bào)道，中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所（電科二所）成功研制出首片碳化硅芯片，下一步，電科二所將全力以赴推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室二期碳化硅芯片中試線和碳化硅器件智能封裝線的建設(shè)。 2021年9月，中國電科二所承擔(dān)山西太原某實(shí)驗(yàn)室6英寸SiC芯片整線系統(tǒng)集成項(xiàng)目，該項(xiàng)目要求4個(gè)月內(nèi)完成整線設(shè)備評估、選型、采購、安裝、調(diào)試，并研制出第一片芯片。電科二所調(diào)動(dòng)資源力量，在SiC激光剝離設(shè)備研制上取得突破性進(jìn)展，先后完成單機(jī)設(shè)備調(diào)試、碳化硅SBD整線工藝調(diào)試。 碳化硅硬度極高，傳統(tǒng)襯底加工工藝切割速度慢，晶體與切割
