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- 多孔重結(jié)晶碳化硅陶瓷的制備與力學(xué)性能表征[ 05-09 16:20 ]
- 多孔重結(jié)晶碳化硅陶瓷(recrystallizedsiliconCarbides，RSiC)由于純度極高、不含晶界雜質(zhì)相而具有優(yōu)異的高溫力學(xué)性能、熱穩(wěn)定性、耐腐蝕性能、高熱導(dǎo)率以及較小的熱膨脹系數(shù)，作為高溫結(jié)構(gòu)材料廣泛用于航空航天等領(lǐng)域。而且由于燒結(jié)過程中不收縮，可以制備形狀復(fù)雜、精度較高的部件。 目前，針對RSiC的研究和應(yīng)用，一方面在于提高其致密度用于極端環(huán)境服役的高溫結(jié)構(gòu)材料，另一方面在于提高其氣孔率用于高溫過濾催化用的多孔結(jié)構(gòu)/功能材料。 高溫過濾催化用多孔材料，如用作柴油車尾氣顆粒物過濾器(Die
- 在單晶生長方面SiC晶體制備的兩個難點[ 05-08 08:34 ]
- 與傳統(tǒng)的單晶硅使用提拉法制備不同，目前規(guī)?；LSiC單晶主要采用物理氣相輸運法(PVT)或籽晶的升華法。這也就帶來了SiC晶體制備的兩個難點： 1、生長條件苛刻，需要在高溫下進行。一般而言，SiC氣相生長溫度在2300℃以上，壓力350MPa，而硅僅需1600℃左右。高溫對設(shè)備和工藝控制帶來了極高的要求，生產(chǎn)過程幾乎是黑箱操作難以觀測。如果溫度和壓力控制稍有失誤，則會導(dǎo)致生長數(shù)天的產(chǎn)品失敗。 2、生長速度慢。PVT法生長SiC的速度緩慢，7天才能生長2cm左右。而硅棒拉晶2-3天即可拉出約2m長的8英
- 做一片八英寸SiC晶圓生產(chǎn)難點在哪？[ 05-07 16:27 ]
- 目前以硅基為材料的晶圓已經(jīng)開始從8英寸邁向了12英寸，硅晶圓的生產(chǎn)經(jīng)驗是否可以助力SiC晶圓向更大面積發(fā)展，與硅晶圓相比，SiC晶圓的生產(chǎn)難點又在哪里？ 包括SiC在內(nèi)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈包括包括襯底→外延→設(shè)計→制造→封裝。其中，襯底是所有半導(dǎo)體芯片的底層材料，起到物理支撐、導(dǎo)熱、導(dǎo)電等作用；外延是在襯底材料上生長出新的半導(dǎo)體晶層，這些外延層是制造半導(dǎo)體芯片的重要原料，影響器件的基本性能；設(shè)計包括器件設(shè)計和集成電路設(shè)計，其中器件設(shè)計包括半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、材
- SiC單晶技術(shù)研發(fā)歷史[ 05-06 16:22 ]
- Si和SiC作為半導(dǎo)體材料幾乎同時被提出，但由于SiC生長技術(shù)的復(fù)雜和缺陷、多型現(xiàn)象的存在，其發(fā)展曾一度被擱淺。SiC的發(fā)展歷經(jīng)了多個重要階段。第一個階段是結(jié)構(gòu)基本性質(zhì)和生長技術(shù)的探索階段，時間跨度從1924年發(fā)現(xiàn)SiC結(jié)構(gòu)至1955年Lely法的提出。第二階段是物理基本性質(zhì)研究和英寸級別單晶生長的技術(shù)積累階段。在此階段物理氣相傳輸(PVT)生長方法基本確定、摻雜半絕緣技術(shù)被提出，至1994年Wolfspeed推出了商用的2英寸(50.8mm)SiC襯底材料。從1994年以后，隨著國際上半導(dǎo)體照明及2英寸SiC單晶
- 關(guān)于取消召開2022年春季全國磨料磨具行業(yè)信息交流會的通知[ 05-05 17:07 ]
