推薦產(chǎn)品
聯(lián)系金蒙新材料
- 碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體目前存在的問題[ 05-14 15:50 ]
- ①大尺寸SiC單晶襯底制備技術(shù)仍不成熟。 目前國際上已經(jīng)開發(fā)出了8英寸SiC單晶樣品，單晶襯底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。并且缺乏更高效的SiC單晶襯底加工技術(shù)；p型襯底技術(shù)的研發(fā)較為滯后。 ②n型SiC外延生長技術(shù)有待進(jìn)一步提高。 ③SiC功率器件的市場優(yōu)勢(shì)尚未完全形成，尚不能撼動(dòng)目前硅功率半導(dǎo)體器件市場上的主體地位。 國際SiC器件領(lǐng)域：SiC功率器件向大容量方向發(fā)展受限制；SiC器件工藝技術(shù)水平比較低；缺乏統(tǒng)一的測(cè)試評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。 中國SiC功率器件領(lǐng)域存在以下3個(gè)方面差距：
- 碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈[ 05-13 16:42 ]
- 碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括“碳化硅高純粉料→單晶襯底→外延片→功率器件→模塊封裝→終端應(yīng)用”等環(huán)節(jié)。 1碳化硅高純粉料 碳化硅高純粉料是采用PVT法生長碳化硅單晶的原料，其產(chǎn)品純度直接影響碳化硅單晶的生長質(zhì)量以及電學(xué)性能。 碳化硅粉料有多種合成方式，主要有固相法、液相法和氣相法3種。其中，固相法包括碳熱還原法、自蔓延高溫合成法和機(jī)械粉碎法；液相法包括溶膠-凝膠法和聚合物熱分解法；氣相法包括化學(xué)氣相沉積法、等離子體法和激光誘導(dǎo)
- Soitec發(fā)布8英寸SiC襯底，拓展碳化硅產(chǎn)品組合[ 05-12 15:30 ]
- 據(jù)中國粉體網(wǎng)訊 Soitec近日發(fā)布了其首款200mm碳化硅SmartSiC™晶圓。這標(biāo)志著Soitec公司的碳化硅產(chǎn)品組合已拓展至150mm以上，其SmartSiC™晶圓的研發(fā)水準(zhǔn)再創(chuàng)新高，可滿足汽車市場不斷增長的需求。 首批200mmSmartSiC™襯底誕生于Soitec與CEA-Leti合作的襯底創(chuàng)新中心的先進(jìn)試驗(yàn)線，該中心位于格勒諾布爾。該批200mmSmartSiC襯底將會(huì)在關(guān)鍵客戶中進(jìn)行首輪驗(yàn)證，展示其質(zhì)量及性能。 Soitec于2022年3月
- 中泰恒創(chuàng)攜手中匯環(huán)球投入100億美元開展碳化硅項(xiàng)目[ 05-11 16:26 ]
- 近日，中泰恒創(chuàng)科技有限公司與中匯環(huán)球集團(tuán)有限公司就“拓展碳化硅SiC芯片市場”項(xiàng)目舉行簽約儀式。此次中泰恒創(chuàng)與中匯環(huán)球的合作主要聚焦于共同拓展碳化硅SiC芯片市場方向。 據(jù)悉，中匯環(huán)球?yàn)橹刑┖銊?chuàng)提供100億美元以上自主融合國際主權(quán)財(cái)富基金的參與和支持，主要支持中泰恒創(chuàng)在開發(fā)生產(chǎn)IGBT、SBD/MOSFET、BMS/PCS等新型產(chǎn)品，以及建立創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)產(chǎn)業(yè)園。 目前，中泰恒創(chuàng)已落地施行的半導(dǎo)體項(xiàng)目可分為三個(gè)階段，第一階段收益預(yù)計(jì)100億元，第二階段預(yù)計(jì)580億元，到第三階段完成，整
- 中科院物理研究所成功制備單一晶型8英寸SiC晶體[ 05-10 12:22 ]
- 近期，中科院物理研究所在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，研人員通過優(yōu)化生長工藝，進(jìn)一步解決了多型相變問題，持續(xù)改善晶體結(jié)晶質(zhì)量，成功生長出單一4H晶型的8英寸SiC晶體。 SiC器件的成本主要由襯底、外延、流片和封測(cè)等環(huán)節(jié)形成，襯底在SiC器件成本中占比高達(dá)約45%。進(jìn)一步擴(kuò)大SiC襯底尺寸，在單個(gè)襯底上增加器件的數(shù)量是降低成本的主要途徑。8英寸SiC襯底將比6英寸在成本降低上具有明顯優(yōu)勢(shì)。8英寸SiC晶體生長的難點(diǎn)在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻、氣相原料分布和輸運(yùn)效率問題；另外
