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聯(lián)系金蒙新材料
- 國(guó)內(nèi)碳化硅襯底的難點(diǎn)[ 09-20 16:11 ]
- 當(dāng)前，國(guó)內(nèi)廠商碳化硅襯底生產(chǎn)的技術(shù)指標(biāo)與國(guó)際主流廠商相比仍有明顯差距。碳化硅襯底正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展，目前行業(yè)內(nèi)公司主要量產(chǎn)襯底尺寸集中在4英寸及6英寸。在最新技術(shù)研發(fā)儲(chǔ)備上，以行業(yè)領(lǐng)先者WolfSpeed公司的研發(fā)進(jìn)程為例，WolfSpeed公司已成功研發(fā)8英寸產(chǎn)品。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，大尺寸是碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向，襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數(shù)量越多，單位芯片成本越低；襯底的尺寸越大，邊緣的浪費(fèi)就越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。由于現(xiàn)有的6英寸的硅晶圓產(chǎn)線可以升級(jí)改造用于生產(chǎn)Si
- 碳化硅功率器件的性能優(yōu)勢(shì)[ 09-19 17:07 ]
- 碳化硅在半導(dǎo)體中存在的主要形式是作為襯底材料，基于其優(yōu)良的特性，碳化硅襯底的使用極限性能優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應(yīng)用需求，當(dāng)前碳化硅襯底已應(yīng)用于射頻器件及功率器件。碳化硅器件優(yōu)點(diǎn)如下： （1）耐高壓。擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導(dǎo)通損耗。所以在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，與硅基相比可以設(shè)計(jì)成更小的體積，約為硅基器件的1/10。 （2）耐高溫。半導(dǎo)體器件在較高的溫度下，會(huì)產(chǎn)生載流子的本征激發(fā)現(xiàn)象，造成器件失效。
- 碳化硅襯底領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代成效顯著[ 09-17 15:03 ]
- 碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，其技術(shù)發(fā)展也至關(guān)重要。雖然國(guó)內(nèi)碳化硅的技術(shù)水平與國(guó)外有所差距，但國(guó)內(nèi)企業(yè)在2-6英寸的半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅襯底領(lǐng)域均已實(shí)現(xiàn)部分國(guó)產(chǎn)替代，8英寸晶圓也在研制過(guò)程中，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程講持續(xù)突破。 碳化硅市場(chǎng)產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅器件研發(fā)和裝備封裝測(cè)試四個(gè)部分，分別占市場(chǎng)總成本的50%、25%、20%、5%，由于具備晶體生長(zhǎng)過(guò)程繁瑣，晶圓切割困難等特點(diǎn)，碳化硅襯底的制造成本一直處于高位。目前高質(zhì)量襯底的應(yīng)用主要集中于WolfSpeed、II-VI、RO
- Wolfspeed宣布斥巨資擴(kuò)產(chǎn)碳化硅晶圓產(chǎn)能[ 09-15 16:27 ]
- 9月9日，碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者Wolfspeed宣布將在北卡羅來(lái)納州投建200mm（8吋）碳化硅晶圓項(xiàng)目，一期投資13億美元，預(yù)計(jì)2024年投產(chǎn)；二期預(yù)計(jì)投資48億美元，到2030年投產(chǎn)，投資目標(biāo)是使Wolfspeed達(dá)到目前產(chǎn)能的十倍。 Wolfspeed首席執(zhí)行官GreggLowe表示，碳化硅芯片能夠在500華氏度以上運(yùn)行，電壓大約是傳統(tǒng)硅片可以處理的10倍，基于碳化硅的芯片已在電動(dòng)汽車中找到一席之地，它們用于逆變器——該組件的作用是將電力從汽車電池傳輸?shù)绞管囕嗈D(zhuǎn)動(dòng)的電機(jī)。L
- 碳化硅器件工藝難點(diǎn)在哪里？[ 09-14 17:19 ]
- 襯底片完了之后就是長(zhǎng)外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蝕，涂膠，沉積，清洗，離子注入等工藝，和硅工藝基本一致，然后就是后道的晶圓切die，封裝測(cè)試等，基本流程和硅差不多。 其中長(zhǎng)外延，光刻膠，背面退火，刻蝕，以及氧化柵極工藝區(qū)別，歐姆接觸和硅工藝區(qū)別非常大。 硅的外延工藝就是普通的硅外延爐之類價(jià)格也很便宜國(guó)產(chǎn)的大約400-500萬(wàn)一臺(tái)（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且價(jià)格非常貴，基本要800-1500萬(wàn)人民幣一臺(tái)，而且產(chǎn)能很低，一臺(tái)爐子一個(gè)月產(chǎn)能是30片。 外延爐主要是國(guó)外
