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聯(lián)系金蒙新材料
- onsemi捷克工廠將在未來兩年內(nèi)擴(kuò)大碳化硅晶圓產(chǎn)能16倍[ 09-27 17:00 ]
- 9月21日，美國半導(dǎo)體供應(yīng)商onsemi（安森美）宣布，其在捷克Ro?nov擴(kuò)建的碳化硅工廠建成，未來兩年內(nèi)，該工廠的碳化硅晶圓和外延生產(chǎn)能力將擴(kuò)大16倍。 從2019年開始，onsemi將SiC拋光晶圓和SiC外延(EPI)晶圓生產(chǎn)添加到其在Roznov現(xiàn)有的硅拋光和外延晶圓和模具制造中。去年開始重建新廠房，以進(jìn)一步擴(kuò)大晶圓和SiC外延制造。到目前為止，onsemi已在Roznov基地投資超過1.5億美元，并計(jì)劃追加投資3億美元。 onsemi表示，碳化硅對于提高電動(dòng)汽車(EV)、電動(dòng)汽車充電和能源基
- AMB陶瓷基板市場潛力巨大[ 09-26 15:55 ]
- 據(jù)了解，目前在AMB領(lǐng)域，比較領(lǐng)先的企業(yè)主要來自歐、日、韓，如德國的羅杰斯（RogersCorporation）、賀利氏科技集團(tuán)，日本的同和控股（DOWA）、礙子株式會社（NGK）、電化株式會社（Denka）、京瓷株式會社（KYOCERACorporation）、東芝高新材料公司，韓國的KCC集團(tuán)、AMOGREENTECH等。 受益于SiC新機(jī)遇，部分國際企業(yè)已在計(jì)劃對AMB基板進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，如東芝高新材料公司已于去年開設(shè)大分工廠，開始生產(chǎn)氮化硅陶瓷基板；今年2月，羅杰斯官宣布擴(kuò)大德國埃申巴赫工廠AMB基板產(chǎn)能。
- AMB陶瓷基板對SiC芯片的配套優(yōu)勢明顯[ 09-24 17:52 ]
- 據(jù)了解，AMB基板銅層結(jié)合力在16N/mm~29N/mm之間，要大幅高于DBC工藝的15N/mm，更適合精密度高的陶瓷基板電路板，這一特性也使得AMB基板具備高溫高頻特性，導(dǎo)熱率為DBC氧化鋁的3倍以上，且使用過程中能降低SiC約10%的熱阻，能提升電池效率，對SiC上車并改善新能源汽車應(yīng)用有明顯的提升效果。 不過，AMB工藝也還存在一些短板，其技術(shù)實(shí)現(xiàn)難度要比DBC、DPC兩種工藝大很多，對技術(shù)要求高，且在良率、材料等方面還有待進(jìn)一步完善，這使得該技術(shù)目前的實(shí)現(xiàn)成本還比較高，“AMB被認(rèn)為是Si
- 國內(nèi)碳化硅功率器件離正式量產(chǎn)還有一段距離[ 09-22 16:16 ]
- 碳化硅生產(chǎn)過程主要包括碳化硅單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應(yīng)的是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件三大環(huán)節(jié)。 我們把SiC器件發(fā)展分為三個(gè)發(fā)展階段，2019-2021年初期，特斯拉等新能源汽車開始試水搭載SiC功率器件；2022-2023年為拐點(diǎn)期，SiC在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用已經(jīng)達(dá)到了批量生產(chǎn)的臨界區(qū)域，并且充電基礎(chǔ)設(shè)施、5G基站、工業(yè)和能源等應(yīng)用逐步采用SIC器件；2024-2026年為爆發(fā)期，SIC加速滲透，在新能源汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、5G基站、工業(yè)和能源等得到廣泛應(yīng)用。 當(dāng)前，碳化硅MOS
- 國內(nèi)碳化硅外延的難點(diǎn)[ 09-21 15:14 ]
- 當(dāng)前外延主要以4英寸及6英寸為主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年遞增。碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅襯底尺寸，當(dāng)前6英寸碳化硅襯底已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商用，因此碳化硅襯底外延也逐漸從4英寸向6英寸過渡。在未來幾年里，大尺寸碳化硅外延片占比會逐年遞增。由于4英寸碳化硅襯底及外延的技術(shù)已經(jīng)日趨成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供給短缺的問題，其未來降價(jià)空間有限。此外，雖然當(dāng)前國際先進(jìn)廠商已經(jīng)研發(fā)出8英寸碳化硅襯底，但其進(jìn)入碳化硅功率器件制造市場將是一個(gè)漫長的過程，隨著8英寸碳化硅外延技術(shù)的逐漸成熟，未來可能會出現(xiàn)8英寸碳化硅功率
