推薦產(chǎn)品
聯(lián)系金蒙新材料
- 光刻機(jī)用碳化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件產(chǎn)業(yè)格局[ 07-08 16:42 ]
- 目前全球集成電路制造裝備支出達(dá)到500億美元，其中陶瓷結(jié)構(gòu)件占支出的20%以上。目前IC制造裝備用高端碳化硅陶瓷零部件70%被Kyocera、CoorsTek兩家公司壟斷，剩余部分也被歐美日企業(yè)所占據(jù)。 Kyocera和CoorsTek產(chǎn)品的特點(diǎn)是種類齊全、市場覆蓋面廣，以半導(dǎo)體用陶瓷組件為例，CoorsTek提供的精密陶瓷結(jié)構(gòu)件涵蓋了光刻機(jī)專用組件、等離子刻蝕設(shè)備專用組件、PVD/CVD專用組件、離子注入設(shè)備專用組件、晶片吸附固定傳輸專用組件等一系列產(chǎn)品；Kyocera則提供光刻機(jī)、晶圓制造設(shè)備、刻蝕機(jī)、沉
- 碳化硅陶瓷精密結(jié)構(gòu)部件制備工藝[ 07-07 15:39 ]
- 采用碳化硅作為光刻機(jī)等集成電路關(guān)鍵裝備用精密結(jié)構(gòu)件材料具有極大的優(yōu)勢。但是傳統(tǒng)的陶瓷制備工藝如注漿、干壓等很難實(shí)現(xiàn)諸如光刻機(jī)工作臺這類復(fù)雜部件的制備。為此，中國建材總院研發(fā)出一系列成型、燒結(jié)技術(shù)，解決了采用碳化硅材料制作此類部件的國產(chǎn)化問題。 碳化硅陶瓷具有高強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量、高比剛度、高導(dǎo)熱系數(shù)、低熱膨脹系數(shù)等優(yōu)良性能，是一種理想的高性能結(jié)構(gòu)材料，但將其應(yīng)用于制備具有“大、厚、空、薄、輕、精”特點(diǎn)的光刻機(jī)等集成電路關(guān)鍵裝備用精密結(jié)構(gòu)件時，卻存在諸多的技術(shù)難點(diǎn)和挑戰(zhàn)，比如如何實(shí)
- 碳化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件在光刻機(jī)中的應(yīng)用[ 07-06 16:37 ]
- 集成電路制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備主要有包括光刻技術(shù)及光刻裝備、薄膜生長技術(shù)及裝備、化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)及裝備、高密度后封裝技術(shù)及裝備等，均涉及高效率、高精度、高穩(wěn)定性的運(yùn)動控制技術(shù)和驅(qū)動技術(shù)，對結(jié)構(gòu)件的精度和結(jié)構(gòu)材料的性能提出了極高的要求。 ●碳化硅工件臺 以光刻機(jī)中工件臺為例，該工件臺主要負(fù)責(zé)完成曝光運(yùn)動，要求實(shí)現(xiàn)高速、大行程、六自由度的納米級超精密運(yùn)動，如對于100nm分辨率、套刻精度為33nm和線寬為10nm的光刻機(jī)，其工件臺定位精度要求達(dá)到10nm，掩模-硅片同時步進(jìn)和掃描速度分別達(dá)到150nm/s和12
- 光刻機(jī)精密部件的主選材料--碳化硅陶瓷[ 07-05 14:29 ]
- 碳化硅陶瓷具有高的彈性模量和比剛度，不易變形，并且具有較高的導(dǎo)熱系數(shù)和低的熱膨脹系數(shù)，熱穩(wěn)定性高，因此碳化硅陶瓷是一種優(yōu)良的結(jié)構(gòu)材料，目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于航空、航天、石油化工、機(jī)械制造、核工業(yè)、微電子工業(yè)等領(lǐng)域。但是，由于碳化硅是Si-C鍵很強(qiáng)的共價鍵化合物，具有極高的硬度和顯著的脆性，精密加工難度大；此外，碳化硅熔點(diǎn)高，難以實(shí)現(xiàn)致密、近凈尺寸燒結(jié)。 因此，大尺寸、復(fù)雜異形中空結(jié)構(gòu)的精密碳化硅結(jié)構(gòu)件的制備難度較高，限制了碳化硅陶瓷在諸如集成電路這類的高端裝備制造領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用。目前只有日本、美國等少數(shù)幾個發(fā)達(dá)
- 上海硅酸鹽所在3D打印碳化硅陶瓷研究中取得新進(jìn)展[ 07-04 17:25 ]
- 碳化硅（SiC）陶瓷由于其易氧化、難熔融、高吸光，成為3D打印陶瓷中亟待攻克的難題，目前大多數(shù)3D打印SiC陶瓷方法中打印材料固含量較低、硅含量較高、力學(xué)性能較低，普遍采用化學(xué)氣相沉積CVI（ChemicalVaporInfiltration）或者前驅(qū)體浸漬裂解PIP（PrecursorInfiltrationPyrolysis）等后處理工藝提高材料固含量來實(shí)現(xiàn)陶瓷材料綜合性能的提升，這樣勢必降低3D打印SiC陶瓷工藝的優(yōu)越性。 近日，中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所黃政仁研究員團(tuán)隊陳健副研究員首次提出高溫熔融沉積
