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[行業(yè)資訊]最新碳化硅價(jià)格行情[ 2024-07-11 11:30 ]

在科技的日新月異中，碳化硅（SiC）作為新一代半導(dǎo)體材料的代表，正以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景，引領(lǐng)著電子產(chǎn)業(yè)的綠色革命。隨著全球?qū)沙掷m(xù)發(fā)展和節(jié)能減排的日益重視，碳化硅材料因其高效率、耐高溫、抗高壓等特性，在電力電子、新能源汽車(chē)、5G通訊等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的市場(chǎng)潛力。近期，碳化硅的價(jià)格走勢(shì)成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。據(jù)行業(yè)分析，2024年第二季度，受全球芯片需求增長(zhǎng)和供應(yīng)鏈調(diào)整的影響，碳化硅材料及其器件的價(jià)格呈現(xiàn)出穩(wěn)中有升的趨勢(shì)。一方面，新能源汽車(chē)行業(yè)的迅猛發(fā)展，對(duì)高性能、低能耗的功率半導(dǎo)體提出了更高要求，碳化硅二極

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[行業(yè)資訊]碳化硅襯底領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代成效顯著[ 2022-09-17 15:03 ]

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，其技術(shù)發(fā)展也至關(guān)重要。雖然國(guó)內(nèi)碳化硅的技術(shù)水平與國(guó)外有所差距，但國(guó)內(nèi)企業(yè)在2-6英寸的半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅襯底領(lǐng)域均已實(shí)現(xiàn)部分國(guó)產(chǎn)替代，8英寸晶圓也在研制過(guò)程中，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程講持續(xù)突破。碳化硅市場(chǎng)產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅器件研發(fā)和裝備封裝測(cè)試四個(gè)部分，分別占市場(chǎng)總成本的50%、25%、20%、5%，由于具備晶體生長(zhǎng)過(guò)程繁瑣，晶圓切割困難等特點(diǎn)，碳化硅襯底的制造成本一直處于高位。目前高質(zhì)量襯底的應(yīng)用主要集中于WolfSpeed、II-VI、RO

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[行業(yè)資訊]寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)點(diǎn)[ 2022-09-09 17:05 ]

碳化硅，氮化鎵有個(gè)很拉風(fēng)的名字叫寬禁帶半導(dǎo)體材料，國(guó)內(nèi)也叫第三代半導(dǎo)體。它特指禁帶寬度超過(guò)2.2eV的材料主要是碳化硅（3.2eV）和氮化鎵（3.34eV）；超過(guò)4.0eV叫超寬禁帶半導(dǎo)體材料，國(guó)內(nèi)叫第四代半導(dǎo)體材料，包括氮化鋁（AlN），金剛石（C），氧化鎵（Ga2O3）和氧化鋅（ZnO），就是上上周美國(guó)搞制裁的那個(gè)，有意思的是美國(guó)只禁了氧化鎵和金剛石，不提氮化鋁和氧化鋅，嘿嘿！說(shuō)明他們這塊不行，氮化鋁可能還是日本和中國(guó)搞的出色些。禁帶寬度物理意義是實(shí)際上是反映了價(jià)電子被束縛強(qiáng)弱程度的一個(gè)物理量，也就是產(chǎn)

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[行業(yè)資訊]晶盛機(jī)電成功研發(fā)出8英寸N型SiC晶體[ 2022-08-26 17:05 ]

8月12日消息，經(jīng)過(guò)晶體實(shí)驗(yàn)室研發(fā)團(tuán)隊(duì)半年多的技術(shù)攻關(guān)，晶盛首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐，標(biāo)志著晶盛第三代半導(dǎo)體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時(shí)代，同時(shí)這也是晶盛在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得的又一標(biāo)志性成果。據(jù)了解，此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破。在技術(shù)上，晶盛成功解決了8英寸晶體生長(zhǎng)過(guò)程中多個(gè)難點(diǎn)問(wèn)題，比如溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂、氣相原料分布等等。此外，還破解了SiC器件成本中襯底占比過(guò)高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛

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[行業(yè)資訊]天岳先進(jìn)6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底獲14億訂單[ 2022-08-12 14:25 ]

粉體圈消息：近期，天岳先進(jìn)發(fā)布公告，公司簽署了時(shí)長(zhǎng)三年(2023-2025)的6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品銷(xiāo)售合同，據(jù)測(cè)算，預(yù)計(jì)含稅銷(xiāo)售三年合計(jì)金額為人民幣13.93億元。但對(duì)于簽約客戶(hù)名稱(chēng)和具體情況，天岳先進(jìn)本次并未披露。去年12月30日，天岳先進(jìn)首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市，據(jù)招股說(shuō)明書(shū)，擬募集資金20億元主要用于碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目，該項(xiàng)目主要用于生產(chǎn)6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底材料，計(jì)劃于2026年達(dá)產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后將新增碳化硅襯底材料產(chǎn)能約30萬(wàn)片/年。今年6月，天岳先進(jìn)在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，他們已成

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]碳化硅器件被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源器件”[ 2022-07-19 16:23 ]

2018年，特斯拉在Model3電驅(qū)主逆變器上，率先采用了意法半導(dǎo)體供應(yīng)的650VSiCMOSFET器件，碳化硅器件開(kāi)始逐漸成為市場(chǎng)發(fā)展的熱點(diǎn)。碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體是支撐新能源汽車(chē)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。其中碳化硅功率模塊是新能源汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，具備耐高壓、耐高溫、高開(kāi)關(guān)頻率、低開(kāi)關(guān)損耗等特點(diǎn)，對(duì)整車(chē)的主要技術(shù)指標(biāo)和整體性能有著重要影響。碳化硅SiC是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低電子設(shè)備的能耗，因此碳化硅器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新

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[行業(yè)資訊]新能源車(chē)用半導(dǎo)體價(jià)值量提升碳化硅倍受期待[ 2022-07-13 09:12 ]

一直以來(lái)，硅是制造半導(dǎo)體芯片最常用的材料，目前90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是以硅為襯底制成的。究其原因，是硅的儲(chǔ)備量大，成本比較低，并且制備比較簡(jiǎn)單。然而，硅在光電子領(lǐng)域和高頻高功率器件方面的應(yīng)用卻受阻，且硅在高頻下的工作性能較差，不適用于高壓應(yīng)用場(chǎng)景。這些限制讓硅基功率器件已經(jīng)漸漸難以滿(mǎn)足新能源車(chē)及高鐵等新興應(yīng)用對(duì)器件高功率及高頻性能的需求。在這個(gè)背景下，碳化硅走到了聚光燈下。相比于第一代和第二代半導(dǎo)體材料，SiC具有一系列優(yōu)良的物理化學(xué)特性，除了禁帶寬度，還具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度

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[行業(yè)資訊]中電化合物攜手浙大，聚焦碳化硅和氮化鎵[ 2022-06-23 16:09 ]

近日，中電化合物半導(dǎo)體有限公司和浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院成立聯(lián)合培養(yǎng)實(shí)踐基地。旨在加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研合作，聚焦碳化硅和氮化鎵材料，培養(yǎng)兼具豐富理論知識(shí)和實(shí)踐能力的高層次材料工程人才。中電化合物以此為契機(jī)，加大人才引進(jìn)力度，以創(chuàng)新為抓手，持續(xù)研發(fā)投入，打造公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力。中電化合物公司是由中國(guó)電子下屬的華大半導(dǎo)體投資的一家做碳化硅SiC晶體、襯底、外延片和GaN外延片產(chǎn)品的專(zhuān)業(yè)化寬禁帶半導(dǎo)體材料制造企業(yè)。 2019年，中電化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶(hù)在寧波杭州灣新區(qū)，是浙江省首個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目，總

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[行業(yè)資訊]比亞迪等新能源車(chē)企扎堆布局碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)[ 2022-06-21 11:30 ]

近期，新能源車(chē)企加快布局碳化硅（SiC）步伐，相關(guān)領(lǐng)域投資迎來(lái)密集落地。日前，新能源汽車(chē)龍頭比亞迪入股天域半導(dǎo)體，華為關(guān)聯(lián)公司深圳哈勃科技投資也于去年入股該公司。資料顯示，天域半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)第一家獲得汽車(chē)質(zhì)量認(rèn)證（IATF16949）的碳化硅半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈企業(yè)，目前正積極突破研發(fā)8英寸SiC工藝關(guān)鍵技術(shù)。6月初，碳化硅功率器件公司深圳基本半導(dǎo)體宣布完成C2輪融資，由廣汽資本等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資。5月下旬，由理想汽車(chē)及三安光電共同出資組建的碳化硅車(chē)規(guī)芯片模組公司蘇州斯科半導(dǎo)體落戶(hù)蘇州。作為第三代半導(dǎo)體材料的

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[行業(yè)資訊]德智新材投資2.5億半導(dǎo)體用碳化硅蝕刻環(huán)項(xiàng)目完成主體工程建設(shè)[ 2022-06-17 17:19 ]

近日，在新馬工業(yè)園內(nèi)，湖南德智新材料有限公司半導(dǎo)體用碳化硅蝕刻環(huán)項(xiàng)目完成了主體工程建設(shè)，并預(yù)計(jì)在明年初投產(chǎn)，一項(xiàng)“卡脖子”的高精尖技術(shù)，即將在株洲順利實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。 SiC刻蝕環(huán)是半導(dǎo)體材料在等離子刻蝕環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵耗材，在半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)鏈上是一種不可或缺的重要材料。SiC刻蝕環(huán)對(duì)純度要求極高，因此只能采用CVD工藝進(jìn)行生長(zhǎng)SiC厚層塊體，隨后經(jīng)精密加工而制得，主要用于半導(dǎo)體刻蝕工藝的制備環(huán)節(jié)。長(zhǎng)期以來(lái)，圍繞半導(dǎo)體及其配套材料的發(fā)展一直是我國(guó)生產(chǎn)制造中的薄弱環(huán)節(jié)，但因其技術(shù)壁壘高，長(zhǎng)期被美

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]第三代半導(dǎo)體——碳化硅究竟用在哪？[ 2022-06-06 16:37 ]

SiC是目前相對(duì)成熟、應(yīng)用最廣的寬禁帶半導(dǎo)體材料，基于SiC的功率器件相較Si基器件具有耐高壓、耐高溫、抗輻射、散熱能力佳、導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗更低、開(kāi)關(guān)頻率更高、可減小模塊體積等杰出特性，不僅可廣泛用于電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、列車(chē)牽引設(shè)備、充電樁、開(kāi)關(guān)電源、光伏逆變器、伺服電機(jī)、高壓直流輸電設(shè)備等民用場(chǎng)景，還可顯著提升戰(zhàn)斗機(jī)、戰(zhàn)艦等軍用系統(tǒng)裝備的性能。 1.新能源汽車(chē) 車(chē)載充電機(jī)（OBC）：車(chē)載充電機(jī)是指固定在汽車(chē)上，可將地面的交流充電樁輸入的交流電轉(zhuǎn)換為直流電，直接給動(dòng)力電池充電，充電過(guò)程中宜由車(chē)載充電機(jī)提

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[行業(yè)資訊]碳化硅芯片產(chǎn)業(yè)未來(lái)可期[ 2022-05-23 17:12 ]

集微網(wǎng)消息，當(dāng)前，汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)在發(fā)生三大變化，動(dòng)力來(lái)源從內(nèi)燃機(jī)演變?yōu)殡妱?dòng)機(jī)，功率半導(dǎo)體材料從硅轉(zhuǎn)向碳化硅，電壓平臺(tái)從400V升級(jí)到800V。跨入新能源汽車(chē)，為了滿(mǎn)足大電流、高電壓的需求，搭載的功率半導(dǎo)體也大幅提升，具體而言，碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)中的應(yīng)用場(chǎng)景包括：主驅(qū)逆變器、OBC（車(chē)載充電器）、快速充電樁，以及大功率DC/DC等。其中，碳化硅在800V主電機(jī)控制器應(yīng)用是大勢(shì)所趨。 ST最早量產(chǎn)并大量應(yīng)用于特斯拉，并用較低的價(jià)格搶占市場(chǎng)份額，以達(dá)到規(guī)模經(jīng)濟(jì)。在過(guò)去的幾年時(shí)間里，全球碳化硅市場(chǎng)上相關(guān)企業(yè)動(dòng)作

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[行業(yè)資訊]蔚來(lái)下一代電動(dòng)車(chē)將選用安森美最新SiC功率模塊[ 2022-05-18 15:07 ]

近年來(lái)，新能源汽車(chē)遭遇的技術(shù)瓶頸主要是如何進(jìn)一步提升車(chē)輛的經(jīng)濟(jì)性。為此，全球汽車(chē)行業(yè)已向碳化硅（SiC）制成的芯片行業(yè)投資數(shù)十億美元，皆因業(yè)界認(rèn)為這類(lèi)技術(shù)可以幫助他們制造高性能電動(dòng)汽車(chē)。近期，安森美（onsemi）宣布全球汽車(chē)創(chuàng)新企業(yè)蔚來(lái)（NIOInc.）為其下一代電動(dòng)車(chē)（EV）選用安森美的最新VE-TracTMDirectSiC功率模塊。這種以碳化硅為基礎(chǔ)的功率模塊能使電動(dòng)車(chē)的續(xù)航里程更遠(yuǎn)、能效更高，加速度也更快。兩家公司合作加快SiC技術(shù)商業(yè)化的進(jìn)程，為市場(chǎng)帶來(lái)配備先進(jìn)半導(dǎo)體材料的電動(dòng)車(chē)。據(jù)悉，

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[行業(yè)資訊]SiC單晶技術(shù)研發(fā)歷史[ 2022-05-06 16:22 ]

Si和SiC作為半導(dǎo)體材料幾乎同時(shí)被提出，但由于SiC生長(zhǎng)技術(shù)的復(fù)雜和缺陷、多型現(xiàn)象的存在，其發(fā)展曾一度被擱淺。SiC的發(fā)展歷經(jīng)了多個(gè)重要階段。第一個(gè)階段是結(jié)構(gòu)基本性質(zhì)和生長(zhǎng)技術(shù)的探索階段，時(shí)間跨度從1924年發(fā)現(xiàn)SiC結(jié)構(gòu)至1955年Lely法的提出。第二階段是物理基本性質(zhì)研究和英寸級(jí)別單晶生長(zhǎng)的技術(shù)積累階段。在此階段物理氣相傳輸(PVT)生長(zhǎng)方法基本確定、摻雜半絕緣技術(shù)被提出，至1994年Wolfspeed推出了商用的2英寸(50.8mm)SiC襯底材料。從1994年以后，隨著國(guó)際上半導(dǎo)體照明及2英寸SiC單晶

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[行業(yè)資訊]華為猛投SiC賽道有何戰(zhàn)略意圖？[ 2022-03-21 16:13 ]

去年9月底，華為發(fā)布了《數(shù)字能源2030》白皮書(shū)，白皮書(shū)中指出，“電力電子技術(shù)和數(shù)字技術(shù)成為驅(qū)動(dòng)能源產(chǎn)業(yè)變革的核心技術(shù)”。更高電壓、更高效率、更高功率密度代表了電力電子器件技術(shù)的發(fā)展方向。在2020年之前的50年中，硅基電力電子器件技術(shù)日益成熟，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大，在能源領(lǐng)域發(fā)揮了不可或缺的作用。然而受材料特性所限，硅基電力電子器件性能正在接近其理論極限，難以繼續(xù)支撐技術(shù)和產(chǎn)業(yè)快速前進(jìn)的要求。進(jìn)入新世紀(jì)以來(lái)，尤其是從2010年至今，諸多新興的半導(dǎo)體材料憑借優(yōu)越的材料特性為電力電子器件技術(shù)帶來(lái)了

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[行業(yè)資訊]晶盛機(jī)電年產(chǎn)40萬(wàn)片碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項(xiàng)目3月開(kāi)工[ 2022-03-04 09:30 ]

近日，由浙江晶盛機(jī)電股份有限公司總投資50億元建設(shè)的“碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項(xiàng)目”落戶(hù)寧夏銀川。其中，一期預(yù)計(jì)3月開(kāi)工建設(shè)，投資總額33.6億元，一期建成達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)年產(chǎn)6英寸碳化硅晶片40萬(wàn)片。晶盛機(jī)電主要圍繞硅、碳化硅、藍(lán)寶石三大主要半導(dǎo)體材料開(kāi)展業(yè)務(wù)，具備全球最大的700Kg藍(lán)寶石生長(zhǎng)能力。據(jù)2月7日募資投建碳化硅襯底晶片生產(chǎn)基地項(xiàng)目和年產(chǎn)80臺(tái)套半導(dǎo)體材料拋光及減薄設(shè)備生產(chǎn)制造項(xiàng)目的公告披露，晶盛機(jī)電已組建一條從原料合成-晶體生長(zhǎng)-切磨拋加工的中試產(chǎn)線(xiàn)，6英寸碳化硅晶片已獲得客戶(hù)驗(yàn)

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[金蒙新材料百科]碳化硅技術(shù)在家電行業(yè)的應(yīng)用[ 2022-02-26 13:37 ]

回溯半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展歷程，大致分為3個(gè)時(shí)代。第一代半導(dǎo)體材料主要是硅和鍺，上世紀(jì)60年代之后，硅基半導(dǎo)體逐漸成為主流，直到現(xiàn)在依然是應(yīng)用最為廣泛的半導(dǎo)體材料，全球95%以上的芯片是以硅片為基礎(chǔ)材料制成的。第二代半導(dǎo)體材料的代表是砷化鎵，可以制造更高頻、高速的集成電路，但是以目前的需求來(lái)看，砷化鎵材料的禁帶寬度依然較小。第三代半導(dǎo)體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的材料，可以制備耐高壓、高頻的功率器件。這些材料中，碳化硅是綜合性能最好、商品化程度最高、技術(shù)最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，目前已經(jīng)在5G通信、PD快充、新能源汽車(chē)

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[行業(yè)資訊]河南：積極布局5G、半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)，重點(diǎn)發(fā)展碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料[ 2022-02-18 08:40 ]

在5G方面，要培育引進(jìn)一批5G智能終端、通信模組、天饋線(xiàn)、5G小型化基站設(shè)備、5G高頻元器件等制造企業(yè)和項(xiàng)目，加快形成5G關(guān)鍵器件及材料生產(chǎn)能力。建設(shè)5G產(chǎn)品監(jiān)測(cè)、認(rèn)證、入網(wǎng)檢測(cè)等公共服務(wù)平臺(tái)，搭建5G創(chuàng)新中心，提高產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜合服務(wù)水平。實(shí)施5G融合應(yīng)用工程，重點(diǎn)推動(dòng)5G在工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、車(chē)聯(lián)網(wǎng)、智慧城市、智慧農(nóng)業(yè)、智慧醫(yī)療等領(lǐng)域融合應(yīng)用，打造一批5G標(biāo)桿應(yīng)用場(chǎng)景。在半導(dǎo)體方面，積極布局半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)，發(fā)展以碳化硅、氮化鎵為重點(diǎn)的第三代半導(dǎo)體材料，提升大尺寸單晶硅拋光片、電子級(jí)高純硅材料、區(qū)熔硅單晶研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

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[行業(yè)資訊]碳化硅單晶襯底是半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)鏈上極為關(guān)鍵一環(huán)[ 2022-02-17 10:08 ]

碳化硅器件性能非常突出，但其生產(chǎn)過(guò)程可謂是困難重重。其產(chǎn)業(yè)鏈貫穿了材料、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝等各個(gè)環(huán)節(jié)。相對(duì)傳統(tǒng)硅基技術(shù)而言，寬禁帶功率器件由于采用了SiC半導(dǎo)體材料，在各關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)也會(huì)遇到新的問(wèn)題與挑戰(zhàn)。 SiC半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)鏈從技術(shù)的角度來(lái)說(shuō)，與硅基功率器件制作工藝不同，碳化硅器件不能直接制作在碳化硅單晶材料上，需要在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，最后在外延層上制造各類(lèi)器件。傳統(tǒng)的碳化硅外延基于高品質(zhì)碳化硅單晶襯底，以實(shí)現(xiàn)晶格匹配和降低缺陷密度（微管、位錯(cuò)、層錯(cuò)等）。即是說(shuō)

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[行業(yè)資訊]住友礦山將量產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓[ 2022-01-11 14:19 ]

如今，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料功率器件在各項(xiàng)性能指標(biāo)上較現(xiàn)有硅基功率器件有飛躍性的提升。當(dāng)純電動(dòng)汽車(chē)的逆變器采用碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)，可以降低電力損耗，因此耗電量可以比硅功率半導(dǎo)體大幅降低。據(jù)外媒消息，住友金屬礦山（簡(jiǎn)稱(chēng)住友礦山）開(kāi)始量產(chǎn)新一代功率半導(dǎo)體使用的晶圓，材料采用的是碳化硅，新一代功率半導(dǎo)體面向純電動(dòng)汽車(chē)（EV）等的需求有望擴(kuò)大。住友礦山要搶占Wolfspeed等領(lǐng)先企業(yè)的市場(chǎng)，預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)1萬(wàn)片。為了進(jìn)一步降低碳化硅晶圓的成本，住友礦山開(kāi)發(fā)出了相關(guān)技術(shù)，在因結(jié)晶不規(guī)則而價(jià)

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