近日，中電化合物半導(dǎo)體有限公司和浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院成立聯(lián)合培養(yǎng)實踐基地。

旨在加強產(chǎn)學(xué)研合作，聚焦碳化硅和氮化鎵材料，培養(yǎng)兼具豐富理論知識和實踐能力的高層次材料工程人才。

中電化合物以此為契機，加大人才引進力度，以創(chuàng)新為抓手，持續(xù)研發(fā)投入，打造公司的核心競爭力。

中電化合物公司是由中國電子下屬的華大半導(dǎo)體投資的一家做碳化硅SiC晶體、襯底、外延片和GaN外延片產(chǎn)品的專業(yè)化寬禁帶半導(dǎo)體材料制造企業(yè)。

2019年，中電化合物半導(dǎo)體項目落戶在寧波杭州灣新區(qū)，是浙江省首個第三代半導(dǎo)體項目，總投資10.5億元，規(guī)劃建設(shè)年產(chǎn)7萬片6吋SiC同質(zhì)外延片生產(chǎn)線，和年產(chǎn)1萬片GaN外延片生產(chǎn)線；包含SiC晶體生長、襯底加工、外延生長、材料檢測工序。

2021年12月，中電化合物宣布中標寧波市重大科技任務(wù)攻關(guān)暨揭榜掛帥項目，聯(lián)合寧波比亞迪半導(dǎo)體有限公司和中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所，共同建設(shè)“車規(guī)級MOS器件用大尺寸SiC材料研發(fā)、驗證及產(chǎn)業(yè)化”項目。

目前，中電化合物的碳化硅年產(chǎn)能已達2萬片，未來3年將達到8萬片，已向客戶提供了650V/1200V/1700V系列SiC外延片和GaN外延片等產(chǎn)品。