為什么碳化硅能承受這么高的電壓？
功率器件，尤其是MOSFET，必須能夠處理極高的電壓。由于電場(chǎng)的介電擊穿強(qiáng)度比硅高約十倍，SiC可以達(dá)到非常高的擊穿電壓，從600V到幾千伏。SiC可以使用比硅更高的摻雜濃度，并且漂移層可以做得非常薄。漂移層越薄，其電阻越低。理論上，給定高電壓，單位面積漂移層的電阻可以降低到硅的1/300。
相關(guān)資訊
最新產(chǎn)品
同類文章排行
- 國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件離正式量產(chǎn)還有一段距離
- 國(guó)內(nèi)碳化硅外延的難點(diǎn)
- 國(guó)內(nèi)碳化硅襯底的難點(diǎn)
- 碳化硅功率器件的性能優(yōu)勢(shì)
- 三種生長(zhǎng)SiC單晶用SiC粉體制備方法的優(yōu)缺點(diǎn)
- 碳化硅晶圓生產(chǎn)用高純碳化硅粉制備方法
- 碳化硅粉在碳化硅晶圓生產(chǎn)中的應(yīng)用
- 碳化硅功率器件的多功能集成封裝技術(shù)和散熱技術(shù)介紹
- 碳化硅功率器件的高溫封裝技術(shù)介紹
- 碳化硅功率器件的低雜散電感封裝技術(shù)介紹
最新資訊文章
您的瀏覽歷史
