為什么SiC在高頻下的表現(xiàn)優(yōu)于IGBT？
在大功率應用中，過去主要使用IGBT和雙極晶體管，目的是降低高擊穿電壓下出現(xiàn)的導通電阻。然而，這些設備提供了顯著的開關(guān)損耗，導致發(fā)熱問題限制了它們在高頻下的使用。使用碳化硅可以制造肖特基勢壘二極管和MOSFET等器件，實現(xiàn)高電壓、低導通電阻和快速運行。
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