華為猛投SiC賽道有何戰(zhàn)略意圖？[ 03-21 16:13 ]

去年9月底，華為發(fā)布了《數(shù)字能源2030》白皮書，白皮書中指出，“電力電子技術(shù)和數(shù)字技術(shù)成為驅(qū)動能源產(chǎn)業(yè)變革的核心技術(shù)”。更高電壓、更高效率、更高功率密度代表了電力電子器件技術(shù)的發(fā)展方向。在2020年之前的50年中，硅基電力電子器件技術(shù)日益成熟，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大，在能源領(lǐng)域發(fā)揮了不可或缺的作用。然而受材料特性所限，硅基電力電子器件性能正在接近其理論極限，難以繼續(xù)支撐技術(shù)和產(chǎn)業(yè)快速前進的要求。進入新世紀(jì)以來，尤其是從2010年至今，諸多新興的半導(dǎo)體材料憑借優(yōu)越的材料特性為電力電子器件技術(shù)帶來了

SiCMOSFET器件的商業(yè)化[ 03-19 15:59 ]

近20多年來，以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC材料具有3倍于硅材料的禁帶寬度，10倍于硅材料的臨界擊穿電場強度，3倍于硅材料的熱導(dǎo)率，因此SiC功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應(yīng)用場合。 其中SiCMOSFET是最為成熟、應(yīng)用最廣的SiC功率開關(guān)器件，具有高開關(guān)速度、低損耗和耐高溫等優(yōu)點，被認為是替代硅IGBT的最佳選擇。SiCMOSFET是一種具有絕緣柵結(jié)構(gòu)的單極性器件，關(guān)斷過程不存在拖尾電流，降低了開關(guān)損耗，進而減小散熱器體積；并且其開關(guān)速度快，開關(guān)頻率高，有利于減小變換器中電感

碳化硅功率器件相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)立項通過[ 03-18 15:54 ]

據(jù)中國粉體網(wǎng)訊 近期，由江蘇宏微科技有限公司、重慶大學(xué)聯(lián)合牽頭，泰克科技（中國）有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、北京海瑞克科技發(fā)展有限公司、廣州電網(wǎng)有限公司電力科學(xué)研究院等單位聯(lián)合提交的《碳化硅MOSFET開關(guān)運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法》團體標(biāo)準(zhǔn)提案，經(jīng)CASA標(biāo)準(zhǔn)化委員會（CASAS）管理委員會審核，根據(jù)《CASA管理和標(biāo)準(zhǔn)制修訂細則》，上述團體標(biāo)準(zhǔn)提案立項通過，分配編號為：CASA024。

碳化硅半導(dǎo)體納入國家“十四五”規(guī)劃重點支持領(lǐng)域[ 03-11 15:24 ]

我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點支持領(lǐng)域，隨著國家“新基建”戰(zhàn)略的實施，碳化硅半導(dǎo)體將在5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。晶片（襯底）作為碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)材料，具有較高的應(yīng)用前景和產(chǎn)業(yè)價值，在我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中具有重要的戰(zhàn)略地位。 碳化硅晶片產(chǎn)品尺寸越大、技術(shù)參數(shù)水平越高，其技術(shù)優(yōu)勢越明顯，長期以來，碳化硅晶片的核心技術(shù)和市場基本被歐美發(fā)達國家壟斷，這無疑突出了一個事實，即

碳化硅聚焦環(huán)陶瓷材料[ 03-09 17:16 ]

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，等離子體刻蝕逐漸成為半導(dǎo)體制造工藝廣泛應(yīng)用的技術(shù)。等離子體刻蝕產(chǎn)生的等離子體具有很強的腐蝕性，在刻蝕晶圓的過程中也會對工藝腔腔體和腔體內(nèi)部件造成嚴(yán)重腐蝕，所以半導(dǎo)體加工設(shè)備中與等離子體接觸的部件需要有較好的耐等離子體刻蝕性能。 相對于有機和金屬材料，陶瓷材料一般都具有較好的耐物理和化學(xué)腐蝕性能以及很高的工作溫度，因而在半導(dǎo)體工業(yè)中，多種陶瓷材料已成為半導(dǎo)體單晶硅片制造工序和前道加工工序的設(shè)備核心部件制造材料，如SiC，AlN，Al2O3和Y2O3等。在等離子環(huán)境中陶瓷材料的選擇取決于核心