SiC的不同晶體結(jié)構(gòu)[ 04-16 13:30 ]

由于Si與C雙原子層堆積序列的差異會導致不同的晶體結(jié)構(gòu)，SiC有著超過200種（目前已知）同質(zhì)多型族。 其中最被人熟知的便是立方密排的3C-SiC和六方密排的2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC（碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學性能）。 最常用的多型是： 4H-SiC——功率集成電路應用 6H-SiC——射頻應用 在不同的晶面上生長不同的晶錠多型體： 4H-SiC——在碳(C)面晶種上生長 6H-SiC&

碳化硅陶瓷換熱器的優(yōu)點[ 04-12 14:14 ]

碳化硅陶瓷換熱器有以下幾個優(yōu)點： （1）碳化硅陶瓷換熱器的使用方法直接、簡單、快捷、高效、環(huán)保、節(jié)能。不需摻冷風及高溫保護，維修成本低，無需對陶瓷換熱器進行任何操作。適用于各種環(huán)境的燃氣工業(yè)窯爐的余熱回收利用，尤其解決了各種高溫工業(yè)窯爐余熱溫度過高無法利用的難題； （2）國家要求陶瓷換熱器溫度≥1000℃，由于它耐高溫，所以就可以放在高溫區(qū)域，溫度越高，換熱效果越好，節(jié)能越多； （3）高溫情況下替代金屬換熱器； （4）解決化工行業(yè)熱交換、耐腐蝕的難題； （5）碳化硅陶瓷換熱器適應

半絕緣型碳化硅襯底的主要應用[ 03-24 16:23 ]

半絕緣型碳化硅襯底主要應用于制造氮化鎵射頻器件。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成氮化鎵射頻器件。碳化硅基氮化鎵射頻器件已成功應用于眾多領(lǐng)域，以無線通信基礎(chǔ)設(shè)施和國防應用為主。無線通信基礎(chǔ)設(shè)施方面，5G具有大容量、低時延、低功耗、高可靠性等特點，要求射頻器件擁有更高的線性和更高的效率。相比砷化鎵和硅基LDMOS射頻器件，以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件同時具有碳化硅良好的導熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出的優(yōu)勢，能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡(luò)所需要的功率和效能，成為5

導電型碳化硅襯底的主要應用[ 03-23 16:21 ]

導電型碳化硅襯底主要應用于制造功率器件。與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上，需在導電型襯底上生長碳化硅外延層得到碳化硅外延片，并在外延層上制造各類功率器件。碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優(yōu)勢，將極大地提高現(xiàn)有使用硅基功率器件的能源轉(zhuǎn)換效率，對高效能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域產(chǎn)生重大而深遠的影響，主要應用領(lǐng)域有電動汽車/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等。

碳化硅晶片生產(chǎn)流程及清洗技術(shù)[ 03-17 14:52 ]

碳化硅晶片經(jīng)過清洗可以有效去除表面沾污和雜質(zhì)，同時保證不引入新的雜質(zhì)，從而使最終的碳化硅晶片產(chǎn)品滿足半導體下游客戶的要求。 傳統(tǒng)的硅襯底材料使用RCA標準清洗方法來去除材料表面的污染，但是碳化硅是一種極性晶體，表面帶有一定的電荷，吸附污染物后變得更加難以清洗。