據(jù)粉體圈整理消息：8月22日，牛津儀器（OxfordInstrumentsplc）旗下等離子技術(shù)公司（PlasmaTechnology）推出一種新型SiC外延襯底化學(xué)機械拋光（CMP）的替代解決方案——等離子拋光干法蝕刻（PPDE），它不僅更清潔、環(huán)保、低成本，并且更穩(wěn)定。

CMP多年來一直是SiC襯底制備的最好選擇，但它存在不良率的頑疾，這在當前滿足SiC需求增長十分不利。首先，CMP漿料存在一定毒性，晶圓廠的CMP流程會對環(huán)境造成很大影響，并且大量消耗水資源；其次，CMP所須的拋光墊和特種化學(xué)品原材料成本高，且潛在供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)問題；最后，CMP工藝本質(zhì)上會因為漿料中化學(xué)品和拋光墊的不斷消耗而導(dǎo)致效果漂移，最終產(chǎn)品不穩(wěn)定。

PlasmaTechnology的戰(zhàn)略業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)評論說，“選擇等離子表面處理來生產(chǎn)SiC外延襯底是一個非常有吸引力的提議，作為一種與當前方法相比的技術(shù)，它以更低的成本提供更好的結(jié)果，并實現(xiàn)了SiC器件的環(huán)境可持續(xù)生產(chǎn)。”牛津儀器等離子技術(shù)公司將在9月正式推出PPDE專利工藝，并討論工業(yè)生產(chǎn)中實施和替代CMP工藝。