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碳化硅新材料入選國(guó)家十三五《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品目錄》

文章出處：原創(chuàng)網(wǎng)責(zé)任編輯：黃丹丹作者：黃丹丹人氣：-發(fā)表時(shí)間：2017-03-13 15:51:00【大中小】

1.1 集成電路

　　集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)，芯片設(shè)計(jì)平臺(tái)（EDA工具）及配套IP庫(kù)。

　　集成電路芯片產(chǎn)品。主要包括中央處理器（CPU）、微控制器（MCU）、存儲(chǔ)器、數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）、嵌入式CPU、通信芯片、數(shù)字電視芯片、多媒體芯片、信息安全和視頻監(jiān)控芯片、智能卡芯片、汽車電子芯片、工業(yè)控制芯片、智能電網(wǎng)芯片、MEMS傳感器芯片、功率控制電路及半導(dǎo)體電力電子器件、光電混合集成電路等。

　　集成電路芯片制造，線寬100納米及以下大規(guī)模數(shù)字集成電路制造，0.5微米及以下模擬、數(shù)模集成電路制造。

　　集成電路芯片封裝，采用SiP、MCP、MCM、CSP、WLP、BGA、FlipChip、TSV等技術(shù)的集成電路封裝。

　　集成電路材料。主要包括6英寸/8英寸/12英寸集成電路硅片、絕緣體上硅（SOI）、化合物半導(dǎo)體材料，光刻膠、靶材、拋光液、研磨液、封裝材料等。

　　集成電路設(shè)備。主要包括6英寸/8英寸/12英寸集成電路生產(chǎn)線所用的光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、退火設(shè)備、單晶生長(zhǎng)設(shè)備、薄膜生長(zhǎng)設(shè)備、化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備、封裝設(shè)備、測(cè)試設(shè)備等。

1.2 新型顯示器件

　　新型顯示面板(器件)。主要包括高性能非晶硅（a-Si）/低溫多晶硅（LTPS）/氧化物（Oxide）液晶顯示器（TFT-LCD）面板產(chǎn)品；新型有源有機(jī)電致發(fā)光二極管（AMOLED）面板產(chǎn)品；新型柔性顯示、激光顯示、立體顯示、量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLED）顯示器件產(chǎn)品等。

　　新型顯示材料。主要包括6代及以上玻璃基板、高性能混合液晶、驅(qū)動(dòng)IC、高純度靶材、高性能長(zhǎng)壽命有機(jī)發(fā)光材料、量子點(diǎn)材料、5.5代及以上精細(xì)金屬掩膜板、高純度化學(xué)品、柔性基板材料、高性能激光器等。

　　新型顯示設(shè)備。主要包括5.5代及以上等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD）、磁控濺射設(shè)備（Sputter）、曝光機(jī)、準(zhǔn)分子激光退火設(shè)備、有機(jī)蒸鍍?cè)O(shè)備、噴墨打印設(shè)備等。

1.3 新型元器件

　　新型片式元件、新型電聲元件、新型連接元件、超導(dǎo)濾波器、高密度互連印制電路板、柔性多層印制電路板、特種印制電路板、節(jié)能環(huán)保型電子變壓器、低損耗微波及GHZ頻段抗EMI/EMP元件等電子元件、為新一代通信配套的低成本光纖光纜、光纖預(yù)制棒及相關(guān)的光器件，高速A/D和D/A器件、移動(dòng)通信用寬頻帶功率放大器、濾波器，通信基站用石英晶體振蕩器，新型通信設(shè)備用連接器及線纜組件。微型化、集成化、智能化、網(wǎng)絡(luò)化的敏感元件及傳感器。半導(dǎo)體激光器件、高性能全固態(tài)激光器件、高性能敏感元器件、新型晶體器件、高精密電阻器件。新型傳感器。關(guān)鍵光電子器件、半導(dǎo)體發(fā)光二極管（LED）、新型真空開關(guān)管、特種用途真空器件等半導(dǎo)體器件。納米發(fā)電功能器件。光纖激光器件。鋁合金電纜、復(fù)合海底電纜及高壓超高壓電纜等新型電纜。

　　電力電子功率器件，包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管芯片（IGBT）及模塊、快恢復(fù)二極管（FRD）、垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VDMOS）、可控硅（SCR）、5英寸以上大功率晶閘管（GTO）、集成門極換流晶閘管（IGCT）、中小功率智能模塊。

1.4 高端儲(chǔ)能

　　儲(chǔ)能裝置材料及器件。正極材料包括橄欖石型磷酸鹽類等富鋰材料（如磷酸鐵鋰等），尖晶石型錳酸鋰材料、層狀材料（如鎳鈷鋁和鎳鈷錳等）及其混合材料等；負(fù)極材料包括鈦酸鋰材料、石墨類材料（如人造石墨及天然石墨等）、硬碳材料、軟材料及硅基復(fù)合材料等；電解質(zhì)材料包括六氟磷酸鋰碳酸酯類溶液及其他新型電解質(zhì)鹽等；隔膜材料包括聚烯烴類及其他新型電池隔膜材料；銅箔、鋁箔及鋁塑膜等輔助材料；電源控制用主控芯片（MCU），電源處理模塊，電壓傳感器。

　　儲(chǔ)能裝置及其管理系統(tǒng)。鋰離子電池單體、模塊及系統(tǒng)；超級(jí)電容單體、模塊及系統(tǒng)；新體系動(dòng)力電池單體、模塊和系統(tǒng)；混合儲(chǔ)能電源模塊及系統(tǒng);模塊化鎳氫電池儲(chǔ)能系統(tǒng)；電池管理系統(tǒng)、超級(jí)電容管理系統(tǒng)。

1.5 關(guān)鍵電子材料

　　半導(dǎo)體材料。包括硅材料（硅單晶、拋光片、外延片、絕緣硅、鍺硅）及化合物半導(dǎo)體材料，藍(lán)寶石和碳化硅等襯底材料，金屬有機(jī)源和超高純度氣體等外延用原料，高端LED封裝材料，高性能陶瓷基板等。

　　光電子材料。包括光纖材料、固體激光材料和光電顯示材料等基礎(chǔ)光電子材料，石英系光纖光纜材料、非氧化物光纖材料、激光晶體、半導(dǎo)體發(fā)光材料、透明導(dǎo)電薄膜材料、光學(xué)晶體材料、光電探測(cè)材料。新型電子元器件材料。包括高端專用材料如磁性材料、陶瓷材料、壓電晶體材料、通信系統(tǒng)用高頻覆銅板及相關(guān)材料、電子無鉛焊料、厚薄膜材料等。氣敏、濕敏、光敏、熱敏材料，巨磁阻抗等傳感材料。

1.6 電子專用設(shè)備儀器

　　半導(dǎo)體生產(chǎn)用鍍膜、濺射、刻蝕等設(shè)備。高精密自動(dòng)印刷機(jī)、高速多功能自動(dòng)貼片機(jī)、無鉛再流焊機(jī)等電子元器件表面貼裝及整機(jī)裝聯(lián)設(shè)備。高性能永磁元件生產(chǎn)設(shè)備、金屬化超薄膜電力電容器生產(chǎn)設(shè)備、超小型片式元件生產(chǎn)設(shè)備、高密度印制電路板生產(chǎn)設(shè)備等新型電子元器件設(shè)備。高端電子專用測(cè)量?jī)x器。TD-LTE等新一代通信和網(wǎng)絡(luò)測(cè)試儀器，數(shù)模混合信號(hào)集成電路測(cè)試系統(tǒng)、存儲(chǔ)器測(cè)試器、分析測(cè)試儀器等半導(dǎo)體和集成電路測(cè)試儀器，數(shù)字電視信號(hào)源、數(shù)字音視頻測(cè)試儀、圖像質(zhì)量分析儀、網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量和安全測(cè)試儀等。

1.7 其他高端整機(jī)產(chǎn)品

　　高清廣播電視制播設(shè)備。高性能安全服務(wù)器和存儲(chǔ)設(shè)備。醫(yī)療電子、金融電子、汽車電子等領(lǐng)域應(yīng)用電子產(chǎn)品和融合創(chuàng)新系統(tǒng)。工業(yè)控制設(shè)備。

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