碳化硅陶瓷的熱壓燒結(jié)
SiC的共價(jià)鍵很強(qiáng),致使燒結(jié)時(shí)的體積和晶界擴(kuò)散速率相當(dāng)?shù)?;SiC晶粒表面的SiO2薄膜,同時(shí)也起到了擴(kuò)散勢(shì)壘的作用。因此不使用添加劑或高壓力,將SiC燒結(jié)到高的密度是相當(dāng)困難的。Nadeau指出,不添加任何燒結(jié)助劑,純SiC只有在極高的溫度下才能燒結(jié)致密,于是不少人對(duì)SiC實(shí)行熱壓燒結(jié)工藝。關(guān)于添加燒結(jié)助劑對(duì)SiC進(jìn)行熱壓燒結(jié)的報(bào)道已有許多。Alliegro等研究了B、Al、Ni、Fe、Cr等金屬添加物對(duì)SiC致密化的影響,發(fā)現(xiàn)Al和Fe是促進(jìn)SiC熱壓燒結(jié)最有效的添加劑。F.F.Lange研究了添加不同量Al2O3對(duì)熱壓燒結(jié)SiC的性能影響,認(rèn)為熱壓燒結(jié)致密是靠溶解--再沉淀機(jī)理。為了進(jìn)一步降低燒結(jié)溫度,降低生產(chǎn)成本,世界各國投入大量的人力、物力、財(cái)力進(jìn)行了深入的研究。熱壓燒結(jié)雖然能降低燒結(jié)溫度,并且具有較高的燒結(jié)密度和抗彎強(qiáng)度。但是熱壓燒結(jié)工藝只能制備形狀簡(jiǎn)單的SiC部件,而且一次熱壓燒結(jié)過程中所制備的產(chǎn)品數(shù)量很小,因此不利于工業(yè)化生產(chǎn)。
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