碳化硅晶片去除表面損傷的4種常用方法
碳化硅單晶生長(zhǎng)之后是晶碇,而且具有表面缺陷,是沒(méi)法直接用于外延的,這就需要加工。其中,滾圓把晶碇做成標(biāo)準(zhǔn)的圓柱體,線切割會(huì)把晶碇切割成晶片,各種表征保證加工的方向,而拋光則是提高晶片的質(zhì)量。
晶片的表面會(huì)有損傷,損傷源于本來(lái)晶體生長(zhǎng)的缺陷、前面加工步驟中的破壞。對(duì)于局部損傷,世界上有四種方法:不管、更換、修補(bǔ)、去除;對(duì)于碳化硅表面的損傷層,不管不顧肯定不行,因?yàn)闀?huì)影響器件的成品率;更換晶片,不就是砸自己的飯碗嘛;修補(bǔ)其實(shí)是再次生長(zhǎng),現(xiàn)在沒(méi)有低成本的方案;而去除是一條還算可行的,用一定的材料廢棄,來(lái)提高總體材料的質(zhì)量。
SiC表面的損傷層可以通過(guò)四種方法去除:
機(jī)械拋光,簡(jiǎn)單但會(huì)殘留劃痕,適用于初拋;
化學(xué)機(jī)械拋光(ChemicalMechanicalPolishing,CMP),引入化學(xué)腐蝕去除劃痕,適用于精拋;
氫氣刻蝕,設(shè)備復(fù)雜,常用于HTCVD過(guò)程;
等離子輔助拋光,設(shè)備復(fù)雜,不常用。
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