近日，我國自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅(SiC)襯底產(chǎn)品面世。中國電子材料行業(yè)協(xié)會組織的專家認為，該成果國內(nèi)領(lǐng)先，已達到國際先進水平。
  碳化硅基微波功率器件具有高頻、大功率和耐高溫的特性，是新一代雷達系統(tǒng)的核心。
  長期以來，碳化硅基微波功率器件的核心材料高純半絕緣碳化硅襯底產(chǎn)品生產(chǎn)、加工難度大，一直是國內(nèi)空白，國際上只有少數(shù)國家掌握該技術(shù)，并一直對我國進行技術(shù)封鎖和產(chǎn)品禁運。
  據(jù)了解，碳化硅基微波器件作為當(dāng)今世界最為理想的微波器件，其功率密度是現(xiàn)有微波器件的10倍，將成為下一代雷達技術(shù)的標(biāo)準。美軍干擾機和“宙斯盾”驅(qū)逐艦的相控陣雷達已開始換裝碳化硅基微波器件產(chǎn)品，軍用市場將在未來幾年推動碳化硅基微波器件的快速發(fā)展。
  可以說，研制高純半絕緣碳化硅襯底材料是我國新一代雷達系統(tǒng)獲得突破的核心課題之一。
  項目研發(fā)者表示，4英寸高純半絕緣碳化硅半導(dǎo)體材料的研制成功使我國擁有了自主可控的重要戰(zhàn)略半導(dǎo)體材料，它將是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、通訊基站的核心，并將在機載雷達系統(tǒng)、地面雷達系統(tǒng)、艦載雷達系統(tǒng)以及彈載雷達系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用。