據粉體圈消息：7月30日，杭州士蘭微電子股份有限公司發(fā)布對外投資進展公告，將啟動化合物半導體第二期建設，即實施“SiC功率器件生產線建設項目”，擬建設一條6吋SiC功率器件芯片生產線，項目總投資為15億元，建設周期3年，最終形成年產14.4萬片6吋SiC功率器件芯片的產能（主要產品為SiCMOSFET、SiCSBD）。

2017年12月，士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司簽署了《關于化合物半導體項目之投資合作協議》，雙方共同投資設立了廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司（士蘭明鎵），在廈門市海滄區(qū)建設一條4/6吋兼容的化合物半導體生產線，總投資50億元，其中一期總投資20億元，二期總投資30億元。截至2021年底，士蘭明鎵已完成第一期20億元的投資，形成了每月7.2萬片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的產能，其產品在小間距顯示、miniLED顯示屏、紅外光耦、安防監(jiān)控、車用LED等領域得到廣泛應用。

據公告，二期碳化硅功率器件生產線建設項目已取得備案證明，是實現士蘭微在電動汽車、新能源市場整體戰(zhàn)略布局的規(guī)劃之一，有利于加快實現士蘭微SiC功率器件的產業(yè)化，滿足日益增長的新能源領域的市場需求。