眾所周知，SiC材料具有許多重要特性：其擊穿電場強度是硅材料的10倍左右，最高結(jié)溫可達600℃……因此，SiC器件結(jié)構(gòu)具有天生的耐高溫能力，在真空條件下耐壓甚至可達400至600℃。SiCMOSFET自身損耗小，發(fā)熱量小，自身溫升相對較小。“SiC的導熱率比硅更好，（大約是硅的三倍），熔點更高（2830℃，而硅是1410℃），所以本質(zhì)上SiC的耐受溫度比硅高出很多。”所以，SiC更適合高溫工作環(huán)境。

2010年5月，一家頭部公司稱其新技術顯著提高了IGBT模塊壽命10倍，輸出功率可以增加25%，支持高達200℃結(jié)溫。如果硅器件也能夠這樣，我們也就不會在這里討論SiC結(jié)溫了。

事實上，150℃結(jié)溫仍是SiC目前的最高標準，175℃結(jié)溫等級剛開始嶄露頭角，封裝也在準標準化階段，耐針對200℃乃至更高結(jié)溫對封裝材料和工藝的要求十分嚴苛，且必須根據(jù)片芯特征進行定制設計，才能滿足更高的導熱和散熱性要求。

從應用角度看，MOSFET、IGBT，包括SiCMOSFET器件數(shù)據(jù)表載明的最高結(jié)溫就是175℃。最高結(jié)溫受芯片和封裝的影響。結(jié)溫從125℃提高到150℃，花了約20年時間；從150℃提高至175℃，又是差不多10年，業(yè)界曾認為到2020年，200℃器件就可以市場化，但是并沒有實現(xiàn)。

有沒有必要提高結(jié)溫？上面說過，現(xiàn)在硅和SiC器件的最高結(jié)溫也就是175℃，是否有必要提高結(jié)溫呢？相關業(yè)內(nèi)人士認為：“讓SiC方案的額定溫度超過175℃是實現(xiàn)產(chǎn)品差異化的重要因素。這需要增加SiC產(chǎn)品的安全工作區(qū)（SOA）。另一方面，由于缺乏可用的通用封裝材料，高額定溫度的封裝離實現(xiàn)還有很長的路要走。”