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β-SiC(立方SiC)的特性

文章出處:廣州先進(jìn)陶瓷展網(wǎng)責(zé)任編輯:作者:CAC2022人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-06-11 16:58:00【

β-SiC(立方SiC)具有優(yōu)良的物理化學(xué)性能,具有高強(qiáng)度、高硬度、高熱導(dǎo)率、高燒結(jié)活性、高半導(dǎo)體特性和低熱膨脹系數(shù)。其硬度與金剛石接近,俗稱金剛砂;對(duì)樣品進(jìn)行拋光,拋光性能遠(yuǎn)超白剛玉和α-SiC(黑碳化硅和綠碳化硅),樣品表面粗糙度良好;β-SiC由于晶粒中電子空穴缺陷較多、其禁帶寬度小于α-SiC,因此導(dǎo)電性比α-SiC的高幾倍;β-SiC具有優(yōu)良的熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù),使得其在加熱和冷卻過程中受到的熱應(yīng)力很小。

β-SiC的基本性質(zhì)表


對(duì)SiC多形體的量子計(jì)算指出,β-SiC(3C)屬于面心立方結(jié)構(gòu),是低溫型穩(wěn)定相,在1600℃左右即可發(fā)生β-SiC向α-SiC的相變;低溫下,β-SiC是一種亞穩(wěn)定相,穩(wěn)定相應(yīng)該是2Hα-SiC,之所以β-SiC(3C)在低溫下穩(wěn)定存在,主要是雜質(zhì)的作用。在密度方面,β-SiC比大多數(shù)合金小一半,為鋼的40%,與鋁大致相同。

β-SiC(立方SiC)制備的方法有多種:激光法、等離子法和固相合成法。激光法、等離子法工藝主要合成納米及亞微米粉體,且由于合成時(shí)間短,無法做到顆粒的真正致密,且顆粒純度相對(duì)不高;固相合成法工藝方式較多,但都具有一定技術(shù)難度,就國(guó)際行業(yè)調(diào)查來看,真正做到高結(jié)晶、高純度、批量化的全球范圍內(nèi)只有少數(shù)企業(yè)做到,并已進(jìn)入市場(chǎng)多年,其他廠家大多停留在理論或?qū)嶒?yàn)階段,產(chǎn)品大多存在β相含量不高、產(chǎn)品雜質(zhì)多、難以批量生產(chǎn)等多項(xiàng)缺點(diǎn)。

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