碳化硅的特點(diǎn)有很多，但是具體我們了解的并不是很多，金蒙新材幫大家來(lái)總結(jié)一下。

　　碳化硅的形成主要有兩種結(jié)晶形態(tài)：b-SiC和a-SiC。

　　1.b-SiC為面心立方閃鋅礦型結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)a=0.4359nm。

　　2.a-SiC是SiC的高溫型結(jié)構(gòu)，屬六方晶系，它存在著許多變體。

　　另外自然界中機(jī)會(huì)沒(méi)有天然的碳化硅，一般都是通過(guò)高溫冶煉形成的。在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，碳化硅的冶煉介紹：

　　1.約從1700℃開(kāi)始，硅質(zhì)原料由砂粒變?yōu)槿垠w，進(jìn)而變?yōu)檎羝?白煙);SiO2熔體和蒸汽鉆進(jìn)碳質(zhì)材料的氣孔，滲入碳的顆粒，發(fā)生生成Sic的反應(yīng);

　　2.溫度升高至1700~1900℃時(shí)，生成b-SiC;溫度進(jìn)一步升高至1900~2000℃時(shí)，細(xì)小的b-SiC轉(zhuǎn)變?yōu)閍-SiC，a-SiC晶粒逐漸長(zhǎng)大和密實(shí);爐溫再升至2500℃左右，SiC開(kāi)始分解變?yōu)楣枵羝褪?/span>

　　當(dāng)冶煉溫度達(dá)到一定程度時(shí)，我們都可以從冶煉爐中看到最內(nèi)層的碳化硅是含量最高的，最高可以達(dá)到99%，越往外碳化硅的含量就越低。