金蒙新材料公司從相關(guān)渠道獲悉，天科合達(dá)與中科院專家合作研究，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底，并且形成了一條年產(chǎn)7萬片碳化硅晶片的生產(chǎn)線。

  眾所周知，硅和鍺構(gòu)成了第一代半導(dǎo)體材料，直到現(xiàn)在我們使用的半導(dǎo)體產(chǎn)品大多依然是基于硅材料的。隨后，砷化鎵、磷化銦逐漸成為第二代半導(dǎo)體材料被用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件，從而被廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通訊、移動通訊、光通信和GPS導(dǎo)航等領(lǐng)域。

  目前，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料或高溫半導(dǎo)體材料。碳化硅單晶是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大，臨界擊穿場強(qiáng)大，熱導(dǎo)率高，飽和漂移速度高等諸多特點，被廣泛應(yīng)用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。