金蒙新材料公司獲悉：我國半導體新技術再次取得突破性進展——由南京大學與中國電子科技集團公司第三十八研究所合作研制而成的第三代半導體碳化硅紫外雪崩單光子探測器?，F(xiàn)已問世。

　　其高靈敏度碳化硅紫外雪崩單光子探測器模塊的成功研制，填補了我國國內在高性能固態(tài)紫外探測領域的空白，為我國進一步在高端紫外探測市場的發(fā)展奠定了基礎。

　　通過實驗證明，尤其是對探測芯片設計與制備、封裝測試到讀出電路的一體化研究，碳化硅單光子紫外探測模塊現(xiàn)已取得了關鍵技術上的顯著突破。其主要性能指標均已達到世界領先水平。例如：其暗電流低于0.01pA，雪崩增益高于106，室溫下的暗計數(shù)率低于1.8Hz/µm2，單光子探測效率高于10%;在150ºC高溫下，探測的暗計數(shù)率低于7Hz/µm2，單光子探測效率無明顯變化，能夠很好工作。

　　因此，其未來在導彈預警與跟蹤、紫外通信、生物醫(yī)療、石油頁巖氣開發(fā)、高速鐵路以及高壓輸電安全領域將具有非常巨大的應用潛力。