MIT中國博后聯(lián)合通用電氣研發(fā)新型多尺度多孔碳化硅陶瓷熱交換器[ 06-22 14:59 ]

高溫熱交換器被廣泛地應用在太陽能、核能發(fā)電以及混動、電動航天等領域。然而，由于苛刻的操作環(huán)境，高溫熱交換器往往成為整個系統(tǒng)的“瓶頸”。 在高溫高壓工作狀態(tài)下，使用超臨界二氧化碳替代傳統(tǒng)的蒸汽循環(huán)，會大幅度地提升能源效率。盡管高溫合金與陶瓷可承受高溫、高壓的負載，但在傳統(tǒng)的熱交換器設計中，使用這些材料制作高溫熱交換器不僅價格高、功率密度低，而且高溫熱交換器自身體積龐大、質(zhì)量大，這些不利因素嚴重地制約了其在可持續(xù)能源以及電動航空的發(fā)展。 近日，美國麻省理工學院（MIT）、普渡大學以及

比亞迪等新能源車企扎堆布局碳化硅 產(chǎn)業(yè)迎來爆發(fā)式增長[ 06-21 11:30 ]

近期，新能源車企加快布局碳化硅（SiC）步伐，相關領域投資迎來密集落地。日前，新能源汽車龍頭比亞迪入股天域半導體，華為關聯(lián)公司深圳哈勃科技投資也于去年入股該公司。 資料顯示，天域半導體是國內(nèi)第一家獲得汽車質(zhì)量認證（IATF16949）的碳化硅半導體材料供應鏈企業(yè)，目前正積極突破研發(fā)8英寸SiC工藝關鍵技術(shù)。6月初，碳化硅功率器件公司深圳基本半導體宣布完成C2輪融資，由廣汽資本等機構(gòu)聯(lián)合投資。5月下旬，由理想汽車及三安光電共同出資組建的碳化硅車規(guī)芯片模組公司蘇州斯科半導體落戶蘇州。 作為第三代半導體材料的

日本IDM大廠羅姆SiC功率半導體計劃將產(chǎn)能增加6倍[ 06-20 17:27 ]

據(jù)粉體圈整理消息：近期，日本IDM大廠羅姆(Rohm)計劃2025年前，要將碳化硅(SiC)功率半導體的營收擴大至1000億日元以上。為此，羅姆最大將投資1700億日元使碳化硅功率半導體的產(chǎn)能在2025年時增加至2021年時的6倍。 羅姆6月8日在日本福岡縣筑后市舉行碳化硅功率半導體專用生產(chǎn)廠房啟用儀式。羅姆社長松本功表示，要以新廠房為起點，目標在2025年度成為全球市占龍頭。這也是日本半導體制造商首度在日本國內(nèi)建設碳化硅功率半導體的專用廠房。 據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》報道，目前羅姆在全球整體功率半導體市場市

藍海華騰、廣汽資本投資基本半導體 搶灘布局碳化硅百億市場[ 06-19 16:22 ]

6月7日,藍海華騰、廣汽資本、潤峽招贏等機構(gòu)完成了對國內(nèi)第三代半導體碳化硅(SiC)功率器件企業(yè)——基本半導體的C2輪融資。本次投資意味著藍海華騰加緊開拓布局第三代半導體碳化硅器件領域，通過助力基本半導體在碳化硅功率器件上的研發(fā)進度以及制造基地的建設，共同加強雙方在新能源汽車市場的拓展。 公開資料顯示，藍海華騰于2016年在深交所創(chuàng)業(yè)板上市，是一家擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)，專業(yè)致力于新能源汽車驅(qū)動和工業(yè)自動化控制產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售以及整體方案解決的國家高新技術(shù)企業(yè)。 藍海華騰本次

德智新材投資2.5億半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目完成主體工程建設[ 06-17 17:19 ]

近日，在新馬工業(yè)園內(nèi)，湖南德智新材料有限公司半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目完成了主體工程建設，并預計在明年初投產(chǎn)，一項“卡脖子”的高精尖技術(shù)，即將在株洲順利實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。 SiC刻蝕環(huán)是半導體材料在等離子刻蝕環(huán)節(jié)中的關鍵耗材，在半導體芯片產(chǎn)業(yè)鏈上是一種不可或缺的重要材料。SiC刻蝕環(huán)對純度要求極高，因此只能采用CVD工藝進行生長SiC厚層塊體，隨后經(jīng)精密加工而制得，主要用于半導體刻蝕工藝的制備環(huán)節(jié)。長期以來，圍繞半導體及其配套材料的發(fā)展一直是我國生產(chǎn)制造中的薄弱環(huán)節(jié)，但因其技術(shù)壁壘高，長期被美